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mosfet-Leistungstransistor

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mosfet-Leistungstransistor

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China BAS316Z Hochgeschwindigkeitsmosfet-Leistungstransistor-Dioden-universelle Energie-Schaltung usine

BAS316Z Hochgeschwindigkeitsmosfet-Leistungstransistor-Dioden-universelle Energie-Schaltung

BAS316Z Mosfet-Leistungstransistor-Dioden - universeller Zweck, Energie, zugeschaltete Hochgeschwindigkeitsschaltdioden Dieses Produkt ist in Übereinstimmung mit dem Kfz-Elektronik Rat (AEC) Standard-Q101 - ... Read More
2019-05-07 11:49:36
China BSZ100N06LS3G 50 W Mosfet-Netzschalter-Stromkreis, Mosfet-Steuerstromkreis TSDSON-8 OptiMOS 3 usine

BSZ100N06LS3G 50 W Mosfet-Netzschalter-Stromkreis, Mosfet-Steuerstromkreis TSDSON-8 OptiMOS 3

BSZ100N06LS3G Mosfet-Leistungstransistor MOSFET N-Ch 60V 20A TSDSON-8 OptiMOS 3 Eigenschaften Ideal für Hochfrequenzschaltung und Synchronisierung. rec. Optimierte Technologie für DC-/DCkonverter N-Kanal, ... Read More
2019-05-07 11:49:43
China BSC046N10NS3G Mosfet-Leistungstransistor MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8 usine

BSC046N10NS3G Mosfet-Leistungstransistor MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8

BSC046N10NS3G Mosfet-Leistungstransistor MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 Eigenschaften • Sehr niedrige Torgebühr für Hochfrequenzanwendungen • Optimiert für Umwandlung DCdC • N-Kanal, normales Niveau • Ausgezeich... Read More
2019-04-17 15:08:02
China Mosfet-Transistor Kanal 2N7002LT1G N, Feld-Effekt-Transistor MOS-115mA usine

Mosfet-Transistor Kanal 2N7002LT1G N, Feld-Effekt-Transistor MOS-115mA

Leistungstransistor MOSFET 60V 115mA Mosfet-2N7002LT1G N-Kanal Eigenschaften • Präfix 2V für die Automobil- und anderen Anwendungen, die einzigartige Standort-und Steueränderungs-Anforderungen erfordern; AEC... Read More
2019-05-07 11:49:49
China BAS516,115 75V 250MA HS Mosfet-Leistungstransistor-Dioden-universelle Energie, die Schalter schaltet usine

BAS516,115 75V 250MA HS Mosfet-Leistungstransistor-Dioden-universelle Energie, die Schalter schaltet

Leistungstransistor-Dioden Mosfet-BAS516,115 - universeller Zweck, Energie, zugeschalteter Schalter 75V 250MA HS Eigenschaften und Nutzen hohe Schaltverzögerung des : trr  4 ns niedriger Durchsickernstrom des ... Read More
2019-05-07 11:50:06
China Schalter-Stromkreis Mosfet-BAV99,215, Mosfet-Verstärker-Stromkreis Schalter DBL 100V 215MA HS usine

Schalter-Stromkreis Mosfet-BAV99,215, Mosfet-Verstärker-Stromkreis Schalter DBL 100V 215MA HS

Leistungstransistor-Dioden Mosfet-BAV99,215 - universeller Zweck, Energie, zugeschalteter Schalter DBL 100V 215MA HS Allgemeine Beschreibung Hochgeschwindigkeitsschaltdioden, eingekapselt in den kleinen Oberfl... Read More
2019-05-07 11:50:15
China Niedrige einzelne Konfiguration Widerstand CSD13381F4 Mosfet-Leistungstransistor-N-CH Pwr usine

Niedrige einzelne Konfiguration Widerstand CSD13381F4 Mosfet-Leistungstransistor-N-CH Pwr

Leistungstransistor MOSFET 12V N-CH Pwr Mosfet-CSD13381F4 MOSFET Eigenschaften 1 Niedriger Auf-Widerstand Niedriges Qg und Qgd Niedrige Schwellen-Spannung Ultra-kleiner Abdruck (0402 Fall-Größe) – 1.0mm×0.6mm ... Read More
2019-05-07 11:50:20
China CSD17308Q3 CSD17308Q3T ultra niedriger Qg niedriger thermischer Widerstand Mosfet-Lokführer-Stromkreis NCh NexFET Pwr usine

CSD17308Q3 CSD17308Q3T ultra niedriger Qg niedriger thermischer Widerstand Mosfet-Lokführer-Stromkreis NCh NexFET Pwr

CSD17308Q3 CSD17308Q3T Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET Eigenschaften 1 Optimiert für Antrieb des Tor-5-V Ultra-niedriges Qg und Qgd Niedriger thermischer Widerstand Lawine veranschla... Read More
2019-07-25 15:14:41
China CSD17578Q3A-Montage-Art Mosfet-Leistungstransistor 30 V 8-VSONP usine

CSD17578Q3A-Montage-Art Mosfet-Leistungstransistor 30 V 8-VSONP

CSD17578Q3A Mosfet-Leistungstransistor MOSFET CSD17578Q3A 30 V 8-VSONP Eigenschaften 1 Niedriges Qg und Qgd Niedriges RDS (an) Niedriger thermischer Widerstand Lawine veranschlagt Pb-frei RoHS konform Halogen ... Read More
2019-05-07 13:45:38
China Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor 6,6 CSD18504Q5A N MOhms-logischer Zustand RoHS konform usine

Kanal-MOS-Feld-Effekt-Transistor 6,6 CSD18504Q5A N MOhms-logischer Zustand RoHS konform

NexFET-Energie MOSFET N-Kanal CSD18504Q5A Mosfet-Leistungstransistor MOSFET 40V Eigenschaften 1 Ultra-niedriges Qg und Qgd Niedriger thermischer Widerstand Lawine veranschlagt Logischer Zustand Pb-freier ... Read More
2019-05-07 11:50:34
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